casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVD5867NLT4G-TB01
Número de pieza del fabricante | NVD5867NLT4G-TB01 |
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Número de parte futuro | FT-NVD5867NLT4G-TB01 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVD5867NLT4G-TB01 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Ta), 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 675pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD5867NLT4G-TB01 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVD5867NLT4G-TB01-FT |
NDS355AN-NB9L007A
ON Semiconductor
NDS356AP-NB8L005A
ON Semiconductor
NDT02N60ZT1G
ON Semiconductor
NDT02N60ZT3G
ON Semiconductor
NILMS4501NR2
ON Semiconductor
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor
NP100N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics America
LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel