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ON Semiconductor NVD4810NT4G-TB01

Name: NVD4810NT4G-TB01
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD4810NT4G-TB01
Availability: InStock
Rating: 4.5 (623 reviews)

Número de pieza de MFG: NVD4810NT4G-TB01

Cantidad disponible: 59910 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 30V 54A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVD4810NT4G-TB01.pdf

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Número de pieza del fabricante	NVD4810NT4G-TB01
Número de parte futuro	FT-NVD4810NT4G-TB01
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVD4810NT4G-TB01 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta), 54A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 11.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1350pF @ 12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.4W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK-3
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD4810NT4G-TB01 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVD4810NT4G-TB01-FT

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