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ON Semiconductor NVD20N03L27T4G

Name: NVD20N03L27T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD20N03L27T4G
Availability: InStock
Rating: 5.0 (766 reviews)

Número de pieza de MFG: NVD20N03L27T4G

Cantidad disponible: 49010 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NVD20N03L27T4G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NVD20N03L27T4G
Número de parte futuro	FT-NVD20N03L27T4G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NVD20N03L27T4G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1260pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.75W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD20N03L27T4G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NVD20N03L27T4G-FT

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