casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4C06NBT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFS4C06NBT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFS4C06NBT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C06NBT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta), 69A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1683pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C06NBT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFS4C06NBT1G-FT |
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037CSFDXKSA1
Infineon Technologies
IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IXFK90N60X
IXYS
IXFL100N50P
IXYS
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel