casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R105CFD7XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW60R105CFD7XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPW60R105CFD7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R105CFD7XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 470µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1752pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 106W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-41 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R105CFD7XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW60R105CFD7XKSA1-FT |
SIRA64DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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SUP70030E-GE3
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BSM400C12P3G202
Rohm Semiconductor
BSM600C12P3G201
Rohm Semiconductor
DMG4N60SJ3
Diodes Incorporated
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel