casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4C022NT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFS4C022NT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFS4C022NT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C022NT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Ta), 136A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3071pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta), 64W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C022NT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFS4C022NT1G-FT |
APT97N65LC6
Microsemi Corporation
FDB1D7N10CL7
ON Semiconductor
IAUC120N04S6L008ATMA1
Infineon Technologies
IAUC120N04S6N009ATMA1
Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
IPA60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel