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ON Semiconductor FDB1D7N10CL7

Name: FDB1D7N10CL7
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB1D7N10CL7
Price: 6.09544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (422 reviews)

Número de pieza de MFG: FDB1D7N10CL7

Cantidad disponible: 15940 Piezas

Precio de referencia: USD 6.09544

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDB1D7N10CL7.pdf

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FDB1D7N10CL7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDB1D7N10CL7
Número de parte futuro	FT-FDB1D7N10CL7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDB1D7N10CL7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	268A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	163nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	11600pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB1D7N10CL7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDB1D7N10CL7-FT

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