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ON Semiconductor NTLJD3182FZTAG

Número de pieza de MFG
NTLJD3182FZTAG
Cantidad disponible
99600 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTLJD3182FZTAG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 450pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja 6-WDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJD3182FZTAG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NTLJD3182FZTAG-FT

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