casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTLJD3182FZTAG
Número de pieza del fabricante | NTLJD3182FZTAG |
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Número de parte futuro | FT-NTLJD3182FZTAG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTLJD3182FZTAG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 450pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 710mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-WDFN (2x2) |
Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLJD3182FZTAG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTLJD3182FZTAG-FT |
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