casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMS4101PR2
Número de pieza del fabricante | NTMS4101PR2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NTMS4101PR2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS4101PR2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3200pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.38W (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS4101PR2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMS4101PR2-FT |
NTB30N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06LT4G
ON Semiconductor
NTB30N06T4
ON Semiconductor
NTB30N06T4G
ON Semiconductor
NTB30N20
ON Semiconductor
NTB30N20G
ON Semiconductor
NTB30N20T4G
ON Semiconductor
NTB35N15G
ON Semiconductor
NTB35N15T4
ON Semiconductor
NTB45N06G
ON Semiconductor
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation