casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NTHC5513T1G
Número de pieza del fabricante | NTHC5513T1G |
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Número de parte futuro | FT-NTHC5513T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHC5513T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A, 2.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 180pF @ 10V |
Potencia - max | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | ChipFET™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHC5513T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTHC5513T1G-FT |
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