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ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G

Número de pieza de MFG
MVDF2C03HDR2G
Cantidad disponible
51580 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MVDF2C03HDR2G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N and P-Channel Complementary
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 630pF @ 24V
Potencia - max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVDF2C03HDR2G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MVDF2C03HDR2G-FT

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