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ON Semiconductor NTF3055-100T1G-IRH1

Name: NTF3055-100T1G-IRH1
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTF3055-100T1G-IRH1
Price: 0.463984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (175 reviews)

Número de pieza de MFG: NTF3055-100T1G-IRH1

Cantidad disponible: 80610 Piezas

Precio de referencia: USD 0.463984

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 NFET SOT223 60V 3A 0.100R

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTF3055-100T1G-IRH1.pdf

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NTF3055-100T1G-IRH1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NTF3055-100T1G-IRH1
Número de parte futuro	FT-NTF3055-100T1G-IRH1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NTF3055-100T1G-IRH1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	455pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTF3055-100T1G-IRH1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTF3055-100T1G-IRH1-FT

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