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ON Semiconductor NTD3813N-35G

Número de pieza de MFG
NTD3813N-35G
Cantidad disponible
85680 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTD3813N-35G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 16V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 963pF @ 12V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD3813N-35G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NTD3813N-35G-FT

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