casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTD70N03R-001
Número de pieza del fabricante | NTD70N03R-001 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NTD70N03R-001 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD70N03R-001 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta), 32A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1333pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I-PAK |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD70N03R-001 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTD70N03R-001-FT |
NDD02N60Z-1G
ON Semiconductor
NDD03N50Z-1G
ON Semiconductor
NDD03N60Z-1G
ON Semiconductor
NDD04N50Z-1G
ON Semiconductor
NDD04N60Z-1G
ON Semiconductor
NDD05N50Z-1G
ON Semiconductor
NDD60N360U1-1G
ON Semiconductor
NDD60N745U1-1G
ON Semiconductor
NDD60N745U1-35G
ON Semiconductor
NDD60N900U1-1G
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel