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ON Semiconductor NDD02N60Z-1G

Name: NDD02N60Z-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD02N60Z-1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (472 reviews)

Número de pieza de MFG: NDD02N60Z-1G

Cantidad disponible: 80640 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 600V IPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NDD02N60Z-1G.pdf

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NDD02N60Z-1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NDD02N60Z-1G
Número de parte futuro	FT-NDD02N60Z-1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDD02N60Z-1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	274pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD02N60Z-1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NDD02N60Z-1G-FT

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