casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTD4865NT4G
Número de pieza del fabricante | NTD4865NT4G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NTD4865NT4G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD4865NT4G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.5A (Ta), 44A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 827pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4865NT4G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTD4865NT4G-FT |
NTD5865N-1G
ON Semiconductor
NTD6600N
ON Semiconductor
NTD6600NT4
ON Semiconductor
NTDV18N06LT4G
ON Semiconductor
NTDV20N06T4G
ON Semiconductor
NTDV20P06LT4G
ON Semiconductor
NTDV2955PT4G
ON Semiconductor
NVD20N03L27T4G
ON Semiconductor
NVD5802NT4G
ON Semiconductor
NVD5802NT4G-TB01
ON Semiconductor
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel