casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTB082N65S3F
Número de pieza del fabricante | NTB082N65S3F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NTB082N65S3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® III |
NTB082N65S3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3410pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 313W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTB082N65S3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTB082N65S3F-FT |
FQA22P10
ON Semiconductor
FQA24N50F_F109
ON Semiconductor
FQA36P15_F109
ON Semiconductor
IRFP150A
ON Semiconductor
SSH70N10A
ON Semiconductor
FDB024N08BL7
ON Semiconductor
FDB0250N807L
ON Semiconductor
FDB0300N1007L
ON Semiconductor
FDB0165N807L
ON Semiconductor
FDB016N04AL7
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel