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ON Semiconductor FDB0165N807L

Número de pieza de MFG
FDB0165N807L
Cantidad disponible
94620 Piezas
Precio de referencia
USD 2.953384
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 310A TO263
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante FDB0165N807L
Número de parte futuro FT-FDB0165N807L
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDB0165N807L Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 310A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 304nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 23660pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB0165N807L Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDB0165N807L-FT

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