casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSVMUN531335DW1T1G
Número de pieza del fabricante | NSVMUN531335DW1T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVMUN531335DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN531335DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 187mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN531335DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVMUN531335DW1T1G-FT |
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T5
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NSBA114YDXV6T1
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NSBA123EDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1G
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NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor
EP20K30ETC144-3N
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XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
Intel
EP4CE22F17C9LN
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
Intel