casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSVMUN531335DW1T1G
Número de pieza del fabricante | NSVMUN531335DW1T1G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NSVMUN531335DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN531335DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 187mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN531335DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVMUN531335DW1T1G-FT |
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP1K50TI144-2N
Intel
EP20K30ETC144-2X
Intel
EPF10K30ETC144-2X
Intel
EPF6016ATI144-3
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-3N
Intel
EP2C8F256C7
Intel