casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSBA123JDXV6T1G
Número de pieza del fabricante | NSBA123JDXV6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSBA123JDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA123JDXV6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-563 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123JDXV6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSBA123JDXV6T1G-FT |
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDP6T5G
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NSBA143ZDP6T5G
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NSBA114YDP6T5G
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NSBA123JDP6T5G
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NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F40C4N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
5SGSMD6N1F45C2LN
Intel
XC4VLX100-12FF1148C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EP20K100QC208-3V
Intel