casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / NSVMMBT6517LT1G
Número de pieza del fabricante | NSVMMBT6517LT1G |
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Número de parte futuro | FT-NSVMMBT6517LT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMMBT6517LT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 350V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Potencia - max | 225mW |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT6517LT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVMMBT6517LT1G-FT |
2SA1179N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
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