casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SA1179N6-CPA-TB-E
Número de pieza del fabricante | 2SA1179N6-CPA-TB-E |
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Número de parte futuro | FT-2SA1179N6-CPA-TB-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1179N6-CPA-TB-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 6V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 180MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1179N6-CPA-TB-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SA1179N6-CPA-TB-E-FT |
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LFE2M20E-6FN484C
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LCMXO640E-3MN100C
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Lattice Semiconductor Corporation