casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / NSV60600MZ4T1G
Número de pieza del fabricante | NSV60600MZ4T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSV60600MZ4T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV60600MZ4T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 6A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potencia - max | 800mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60600MZ4T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSV60600MZ4T1G-FT |
MCH6103-TL-E
ON Semiconductor
MCH6121-TL-H
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M1A3P1000-2FGG484
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A3P1000-FG256
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EP20K600EFC672-3
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EP3SE80F1152I3
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EPF10K200SBC356-1X
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