casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SB817C-1E
Número de pieza del fabricante | 2SB817C-1E |
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Número de parte futuro | FT-2SB817C-1E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB817C-1E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 12A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 140V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Potencia - max | 120W |
Frecuencia - Transición | 10MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P-3L |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB817C-1E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SB817C-1E-FT |
MJD44E3T4G
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