casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SB817C-1E
Número de pieza del fabricante | 2SB817C-1E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2SB817C-1E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB817C-1E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 12A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 140V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Potencia - max | 120W |
Frecuencia - Transición | 10MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P-3L |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB817C-1E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SB817C-1E-FT |
MJD44E3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD122T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11RLG-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD45H11RLG-VF01
ON Semiconductor
NSV1C301ET4G-VF01
ON Semiconductor
MJD200T4G
ON Semiconductor
MJD32CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD127T4G
ON Semiconductor
NJVMJD128T4G
ON Semiconductor
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCV300-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110CF23C7
Intel
EPF10K30AFC256-2N
Intel
EP20K60EFC144-3
Intel
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7
Intel