casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / NSS1C200MZ4T3G
Número de pieza del fabricante | NSS1C200MZ4T3G |
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Número de parte futuro | FT-NSS1C200MZ4T3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS1C200MZ4T3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potencia - max | 800mW |
Frecuencia - Transición | 120MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS1C200MZ4T3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSS1C200MZ4T3G-FT |
CPH6153-P-TL-E
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M7A3P1000-1FGG256
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A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
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EP3SL110F1152I4L
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Xilinx Inc.