casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP80N055NDG-S18-AY
Número de pieza del fabricante | NP80N055NDG-S18-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP80N055NDG-S18-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP80N055NDG-S18-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP80N055NDG-S18-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP80N055NDG-S18-AY-FT |
JANTXV2N6798
Microsemi Corporation
JANTXV2N6798U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6800
Microsemi Corporation
JANTXV2N6800U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6802
Microsemi Corporation
JANTXV2N6802U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6804
Microsemi Corporation
JANTXV2N6849
Microsemi Corporation
JANTXV2N6849U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6898
Microsemi Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel