casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6849U
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6849U |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6849U |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/564 |
JANTXV2N6849U Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Paquete / Caja | 18-CLCC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6849U Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6849U-FT |
JAN2N6798
Microsemi Corporation
JAN2N6798U
Microsemi Corporation
JAN2N6800
Microsemi Corporation
JAN2N6800U
Microsemi Corporation
JAN2N6802
Microsemi Corporation
JAN2N6802U
Microsemi Corporation
JAN2N6804
Microsemi Corporation
JAN2N6849
Microsemi Corporation
JAN2N6849U
Microsemi Corporation
JAN2N6898
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel