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JAN2N6800 Image

Microsemi Corporation JAN2N6800

Número de pieza de MFG
JAN2N6800
Cantidad disponible
44890 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
Military, MIL-PRF-19500/557 MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-JAN2N6800
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Military, MIL-PRF-19500/557
JAN2N6800 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 34.75nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-39
Paquete / Caja TO-205AF Metal Can
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JAN2N6800 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto JAN2N6800-FT

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