casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP160N04TUG-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP160N04TUG-E1-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP160N04TUG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP160N04TUG-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15750pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta), 220W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263-7 |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP160N04TUG-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP160N04TUG-E1-AY-FT |
BSS138W-TP
Micro Commercial Co
BSS138W E6327
Infineon Technologies
BSS138W E6433
Infineon Technologies
BSS138W L6327
Infineon Technologies
BSS138W L6433
Infineon Technologies
BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS209PW
Infineon Technologies
BSS209PW L6327
Infineon Technologies
BSS214NW L6327
Infineon Technologies
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation