casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM27C256V100
Número de pieza del fabricante | NM27C256V100 |
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Número de parte futuro | FT-NM27C256V100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C256V100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-PLCC (14x11.46) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C256V100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM27C256V100-FT |
N25Q256A81ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q256A83ESF40E
Micron Technology Inc.
N25Q512A11G1240F TR
Micron Technology Inc.
N25Q512A13GF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q512A83G12A0F
Micron Technology Inc.
N25Q512A83G12H0F
Micron Technology Inc.
N25Q512A83GSFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25QH32A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel