casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N25Q512A83G12H0F
Número de pieza del fabricante | N25Q512A83G12H0F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-N25Q512A83G12H0F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q512A83G12H0F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q512A83G12H0F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N25Q512A83G12H0F-FT |
N25Q008A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40G
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1240F TR
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1241E
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1241F TR
Micron Technology Inc.
N25Q016A11EF640E
Micron Technology Inc.