casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N25Q016A11EF640E
Número de pieza del fabricante | N25Q016A11EF640E |
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Número de parte futuro | FT-N25Q016A11EF640E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q016A11EF640E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 1ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-VDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q016A11EF640E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N25Q016A11EF640E-FT |
MTFC64GAJAEDN-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAEDN-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-3M WT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-3M WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAKAEEY-4M IT
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT ES
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT ES TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GANALAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAOAMEA-WT ES
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel