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ON Semiconductor NIF9N05CLT1G

Name: NIF9N05CLT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NIF9N05CLT1G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (632 reviews)

Número de pieza de MFG: NIF9N05CLT1G

Cantidad disponible: 84500 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NIF9N05CLT1G.pdf

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NIF9N05CLT1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NIF9N05CLT1G
Número de parte futuro	FT-NIF9N05CLT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NIF9N05CLT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	59V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	250pF @ 35V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.69W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NIF9N05CLT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NIF9N05CLT1G-FT

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