casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE662M04-A
Número de pieza del fabricante | NE662M04-A |
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Número de parte futuro | FT-NE662M04-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE662M04-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 3.3V |
Frecuencia - Transición | 25GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 2GHz |
Ganancia | 18dB |
Potencia - max | 115mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 2V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-343F |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-343F |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE662M04-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE662M04-A-FT |
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XA3S1200E-4FTG256I
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XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
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M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
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5SGXEB6R3F40I4N
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10AX027E2F27E2LG
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Lattice Semiconductor Corporation