casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NDPL070N10BG
Número de pieza del fabricante | NDPL070N10BG |
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Número de parte futuro | FT-NDPL070N10BG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDPL070N10BG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V, 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8 mOhm @ 35A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2010pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 72W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDPL070N10BG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NDPL070N10BG-FT |
FQA6N90_F109
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FQA7N60
ON Semiconductor
FQA7N80
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FQA7N90
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FQA7N90_F109
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FQA85N06
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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5AGXBA7D4F31I5N
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