casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQA7N90_F109
Número de pieza del fabricante | FQA7N90_F109 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQA7N90_F109 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA7N90_F109 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2280pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 198W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA7N90_F109 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQA7N90_F109-FT |
FQA90N08
ON Semiconductor
FDA28N50F
ON Semiconductor
FDA59N25
ON Semiconductor
FQA40N25
ON Semiconductor
FQA70N15
ON Semiconductor
FQA24N60
ON Semiconductor
FQA30N40
ON Semiconductor
FDA24N50F
ON Semiconductor
FQA19N60
ON Semiconductor
TK62J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel