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ON Semiconductor FQA19N60
- Número de pieza de MFG
- FQA19N60
- Cantidad disponible
- 25210 Piezas
- Precio de referencia
- USD 3.712
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- QFET® MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- FQA19N60.pdf
FQA19N60 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | FQA19N60 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FQA19N60 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | QFET® |
| FQA19N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 9.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3PN |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQA19N60 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FQA19N60-FT |
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