casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND128W3A2BN6E
Número de pieza del fabricante | NAND128W3A2BN6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND128W3A2BN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND128W3A2BN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND128W3A2BN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND128W3A2BN6E-FT |
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel