casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND08GAH0BZA5E
Número de pieza del fabricante | NAND08GAH0BZA5E |
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Número de parte futuro | FT-NAND08GAH0BZA5E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND08GAH0BZA5E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | MMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 169-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 169-LFBGA (12x16) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND08GAH0BZA5E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND08GAH0BZA5E-FT |
R1LV0108ESF-5SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-5SR#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#S0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
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LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
Intel