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Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DZA6E

Número de pieza de MFG
NAND02GR3B2DZA6E
Cantidad disponible
18550 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-NAND02GR3B2DZA6E
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NAND02GR3B2DZA6E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 45ns
Tiempo de acceso 45ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 63-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-VFBGA (9.5x12)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND02GR3B2DZA6E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NAND02GR3B2DZA6E-FT

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