casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND02GR3B2DZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND02GR3B2DZA6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NAND02GR3B2DZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND02GR3B2DZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9.5x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND02GR3B2DZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND02GR3B2DZA6E-FT |
R1LP0108ESA-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESA-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0208BSA-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0208BSA-5SI#S0
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-5SI#S1
Renesas Electronics America
R1LP0108ESF-5SI#B1
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-5SI#B1
Renesas Electronics America
R1LP0108ESF-5SI#S1
Renesas Electronics America
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel