casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1LV0108ESF-5SI#B1
Número de pieza del fabricante | R1LV0108ESF-5SI#B1 |
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Número de parte futuro | FT-R1LV0108ESF-5SI#B1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV0108ESF-5SI#B1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP (8x20) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV0108ESF-5SI#B1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1LV0108ESF-5SI#B1-FT |
BR24C01-WDS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C02-DS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C02-RDS6TP
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BR24C02-WDS6TP
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BR24C04-DS6TP
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BR24C04-RDS6TP
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BR24C08-DS6TP
Rohm Semiconductor
BR24C08-RDS6TP
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BR24C08-WDS6TP
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BR24C16-DS6TP
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LFXP3E-3TN144C
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XC2S15-5VQG100C
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M2GL090-1FGG484
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5SGSED6K3F40C2LN
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LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel