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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

Número de pieza de MFG
MVB50P03HDLT4G
Cantidad disponible
19610 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante MVB50P03HDLT4G
Número de parte futuro FT-MVB50P03HDLT4G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
MVB50P03HDLT4G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 5V
Vgs (Max) ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4.9nF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK-3
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVB50P03HDLT4G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MVB50P03HDLT4G-FT

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