casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / MVB50P03HDLT4G
Número de pieza del fabricante | MVB50P03HDLT4G |
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Número de parte futuro | FT-MVB50P03HDLT4G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MVB50P03HDLT4G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4.9nF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK-3 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MVB50P03HDLT4G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MVB50P03HDLT4G-FT |
JANSR2N7262U
Microsemi Corporation
JANSR2N7268U
Microsemi Corporation
JANSR2N7269
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JANTX2N6758
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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A54SX32A-CQ256B
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
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LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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