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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

Name: MVB50P03HDLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MVB50P03HDLT4G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (260 reviews)

Número de pieza de MFG: MVB50P03HDLT4G

Cantidad disponible: 19610 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MVB50P03HDLT4G.pdf

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MVB50P03HDLT4G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MVB50P03HDLT4G
Número de parte futuro	FT-MVB50P03HDLT4G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
MVB50P03HDLT4G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 5V
Vgs (Max)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4.9nF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK-3
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVB50P03HDLT4G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MVB50P03HDLT4G-FT

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