casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANSR2N7389
Número de pieza del fabricante | JANSR2N7389 |
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Número de parte futuro | FT-JANSR2N7389 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/630 |
JANSR2N7389 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 6.5A, 12V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 12V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-205AF (TO-39) |
Paquete / Caja | TO-205AF Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSR2N7389 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANSR2N7389-FT |
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