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IXYS IXTM11N80

Name: IXTM11N80
Brand: IXYS
SKU: IXTM11N80
Availability: InStock
Rating: 4.6 (779 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTM11N80

Cantidad disponible: 58770 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: IXYS

Breve descripción: GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTM11N80.pdf

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IXTM11N80 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTM11N80
Número de parte futuro	FT-IXTM11N80
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™
IXTM11N80 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-204AA
Paquete / Caja	TO-204AA, TO-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM11N80 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTM11N80-FT

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