Número de pieza del fabricante | MUR410 |
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Número de parte futuro | FT-MUR410 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MUR410 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 890mV @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR410 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MUR410-FT |
NRVTSM260ET3G
ON Semiconductor
MBRM110ET3G
ON Semiconductor
CD216A-B120RLF
Bourns Inc.
CD216A-B130LLF
Bourns Inc.
CD216A-B140LF
Bourns Inc.
MBRM110ET1
ON Semiconductor
MBRM110ET3
ON Semiconductor
MBRM110LT1
ON Semiconductor
MBRM110LT3
ON Semiconductor
MBRM120ET1
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel