casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRM110ET3G
Número de pieza del fabricante | MBRM110ET3G |
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Número de parte futuro | FT-MBRM110ET3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRM110ET3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 10V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 530mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 10V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-216AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powermite |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRM110ET3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRM110ET3G-FT |
MBRM110LT1G
ON Semiconductor
STPS120M
STMicroelectronics
NRVBM120ET3G
ON Semiconductor
NRVHPM120T3G
ON Semiconductor
STPS1L40M
STMicroelectronics
UPS5819E3TR7
Microsemi Corporation
NRVBM140T1G
ON Semiconductor
MBRM130LT1G
ON Semiconductor
MBRM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT3G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel