casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / MUN5232DW1T1G
Número de pieza del fabricante | MUN5232DW1T1G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MUN5232DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5232DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5232DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MUN5232DW1T1G-FT |
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1
ON Semiconductor
XC3S1500-4FG320I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel