casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / MUN5116DW1T1
Número de pieza del fabricante | MUN5116DW1T1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MUN5116DW1T1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5116DW1T1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5116DW1T1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MUN5116DW1T1-FT |
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5115DW1T1G
ON Semiconductor
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel