casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / SMUN5115DW1T1G
Número de pieza del fabricante | SMUN5115DW1T1G |
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Número de parte futuro | FT-SMUN5115DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5115DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 187mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5115DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SMUN5115DW1T1G-FT |
NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T5G
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NSBC144EDXV6T5G
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NSVBC114YDXV6T1G
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NSVBC124EDXV6T1G
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NSBA114YDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV6T1G
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NSVBC144EPDXV6T1G
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NSBA123JDXV6T5G
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XC4010E-1BG225C
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A3P030-1VQG100I
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M1AGL250V2-VQ100I
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10CL120ZF484I8G
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Xilinx Inc.
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