casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MTA4ATF51264AZ-2G6E1
Número de pieza del fabricante | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
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Número de parte futuro | FT-MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MTA4ATF51264AZ-2G6E1-FT |
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B XIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16T67A3WC1
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel